A股三大指数本日涨跌不一，物化收盘，沪指涨0.10%，收报3916.23点；深证成指跌0.25%，收报13086.41点；创业板指涨0.38%，收报3037.44点。沪深两市成交额跌破2万亿，本日仅有19311亿，较昨日缩量1417亿。行业板块涨少跌多，保障、煤炭行业、航运口岸、银行板块涨幅居前，小金属、贵金属、风电配置、钢铁行业、采掘行业、化肥行业跌幅居前。个股方面，高潮股票数目接近1200只，逾50只股票涨停。
据媒体报说念，存储模组大厂威刚董事长陈立白暗示，现时DRAM内存、NAND闪存、固态硬盘、机械硬盘等存储产物全面缺货，这种情况30年未见。他合计这背后是云奇迹供应商大领域采购的强劲需求鼓动，存储行业将迎来多年期牛市。针对DDR4内存商场，陈立白指出三星半导体、SK海力士、好意思光等三大DRAM厂商已捣毁DDR4产线配置，从头出产DDR4并不合算。这意味着DDR4将参加约2年的长尾商场阶段，供应缺口远超预期。
比年来，跟着AI时期赶快发展以及AI数据中心等基建需求大增，存储芯片需求极度焕发。信达证券暗示，AI产物增长影响存储供需两头，四季度DRAM和NAND价钱臆想延续增长态势。德邦证券指出，本轮存储芯片的需求更多源惬心型科技公司在AI时期的算力基建，抓续性可能更强。
信达证券：四季度DRAM和NAND价钱臆想延续增长态势
AI产物增长影响存储供需两头，四季度DRAM和NAND价钱臆想延续增长态势。TrendForce则预估，第四季度旧制程DRAM举座价钱环比增长8%～13%，HBM价钱环比增涨13%～18%；NAND Flash第四季度各种产物合约价或将全面高潮，平均涨幅臆想达到5%～10%。
德邦证券：本轮存储芯片上行周期抓续性可能更强
存储芯片于2024年开启新上行周期，中枢受益于AI基建带来的需求增长。前两轮周期试验更多依托耗尽端发力，而本轮存储芯片的需求更多源惬心型科技公司在AI时期的算力基建，抓续性可能更强。
天风证券：HBM瓶颈突显产业痛点
AI推理成价值中枢，HBM瓶颈突显产业痛点。现时，AI推理已成为臆想大模子生意化价值的时弊标尺，为松弛算力瓶颈与“存储墙”制约，“以存代算”看成一种颠覆性时期范式应时而生。该时期通过将AI推理进程中的矢量数据腾贵的DRAM和HBM显存移动至大容量、高性价比的SSD介质，达成有储层从内存向SSD的政策推广，而非肤浅替代。其中枢价值在于权贵裁汰首Token时延、擢升推理浑沌量，并大幅优化端到端的推理资本，为AI大领域落地提供可行旅途。
中信证券：2026年大容量QLCSSD有望出现爆发性增长
9月以来，凭据Bloomberg、CFM闪存商场，NAND Flash Wafer和部分存储模组均有不同进度高潮，涨幅个位数。瞻望后续，Trend Force臆想2025年四季度NAND Flash价钱将高潮5%～10%，后续数据中心eSSD加价幅度有望超商场预期，2026年大容量QLCSSD有望出现爆发性增长。
国金证券：DRAM价钱或络续增长
凭据TrendForce集邦运筹帷幄最新走访，由于三大DRAM原厂将产能转向高阶产物，并不时文牍PC/Server用DDR4以及Mobile用LPDDR4X参加产物质命周期末期(EOL)，激励商场对旧世代产物积极备货，重复传统旺季备货动能，将推升2025年第三季一般型DRAM(Conventional DRAM)价钱季增10%至15%，若纳入HBM，举座DRAM涨幅将季增15%至20%。
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